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半导体放电管tss介绍和防雷电路设计

2020/10/16 17:48:29 文章标签:

瞬变干扰吸收器件讲解(三)——TVS管与TSS管 瞬态抑制讲解 一 概述 二 特性曲线 三 主要特征参数 四 选型 选择型号为韦尔半导体SPD9231A (1)D4:半导体放电管(tss)组成第一级防护电路 用于抑制线路上的共模以及差模浪涌干扰&#…

瞬变干扰吸收器件讲解(三)——TVS管与TSS管
瞬态抑制讲解

一 概述

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二 特性曲线

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三 主要特征参数

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四 选型

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选择型号为韦尔半导体SPD9231A
(1)D4:半导体放电管(tss)组成第一级防护电路
用于抑制线路上的共模以及差模浪涌干扰,防止干扰通过信号线影响下一级电路;
a.导通电压VDRM要求:
大于信号正常工作电压,RS422/RS485通信电气特性-6V-+6V(无负载条件下) ;-2V-+2V(有负载条件下)
小于最大极限电压,选用的RS485芯片极限电压-7.5V~12.5V;选用的RS422芯片的极限电压-8V-12.5V。
b.转换电流IS:只能选择800mA,即这个阈值以上的电流和电压让管子导通
c.峰值功率:
d.转换电压VS:芯片极限工作电压12.5V,所以此时VS=12.5V;
e.钳位电压VT:4V
f.导通电流IT:2.2A;

(2)PTC1、PTC2为压敏电阻组成第二级防护电路
典型取值为10Ω/2W;由于
为保证气体放电管能顺利的导通,泄放大能量必须增加此电阻进行分压,确保大部分能量通过气体放电管走掉;

(3)D1~D3:瞬态抑制二极管(TVS管)组成第三级防护电路
TSS管标称电压VBRW要求大于8V,峰值电流IPP要求大于等于143A;峰值功率WPP要求大于等于1144W;


本文链接: http://www.dtmao.cc/news_show_300186.shtml

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